单晶P/N型号测试仪简介： 仪器运用了第四代集成电路设计、生产。仪器采用热电法测量硅单晶型号，配置了可自动恒温的热探笔，并由液晶器件直接发显示N、P型。对于电阻率小于1000Ω.cm的硅片、块**以准确地鉴定出导电型号。 单晶P/N型号测试仪适用范围： 适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅。 适用于西门子法、硅烷法等生产**多晶硅料的企业。 适用于物理提*生产多晶硅料生产企业。 适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业。 适用于科研部门、高等院校及需要**量程测量电阻率的企业。 仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度**提高。 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能。 *特的设计能**消除测量引线和接触电阻产生的误差， ***测量的高精度和宽的量程范围。 双数字表结构使测量*，操作*简便。 具有**的测试数据查询及打印功能。 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、值、值、平均百分变化率等。 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性**提高。 采用进口元器件，留有*大的系数，**提高了测试仪的性和使用寿命。 测量电流采用高度稳定的**恒流源（**之五精度），不受气候条件的影响。 具有正测反测的功能，测试结果的准确性。 具有抗强磁场和抗高频设备的性能。 单晶P/N型号测试仪产品特点： 仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度**提高 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能 *特的设计能**消除测量引线和接触电阻产生的误差， ***测量的高精度和宽的量程范围 双数字表结构使测量*，操作*简便 具有**的测试数据查询及打印功能 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、值、值、平均百分变化率等 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性**提高 采用进口元器件，留有*大的系数，**提高了测试仪的性和使用寿命 测量电流采用高度稳定的**恒流源（**之五精度），不受气候条件的影响 具有正测反测的功能，测试结果的准确性 具有抗强磁场和抗高频设备的性能 单晶P/N型号测试仪参数： 测量范围 锗：近本征锗≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm 显示方式： 液晶直显 功 耗：30W 供电电源：AC 220V ±10% 50/60Hz. 使用环境：温度：23±2℃ 相对温度：≤65%