GDW3-LT-1A高频光电导少子寿命测试仪(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm

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产品名称: GDW3-LT-1A高频光电导少子寿命测试仪(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm

产品型号: GDW3-LT-1A

产品展商: ghitest

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简单介绍

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形*严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶的重要检测项目。

GDW3-LT-1A高频光电导少子寿命测试仪(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm 的详细介绍

1、用途
用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形*严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶的重要检测项目。
2、设备组成
2.1、光脉冲发生装置
重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：5A～20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、高频源
频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W
2.3、放大器和检波器
频率响应：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
3、测量范围
LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ

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